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CERNET第24届学术年会
选择字体:      教育部  发布时间:2011-12-20

2011年"中国高等学校十大科技进展"入选项目介绍

四、硅的低场非均匀性巨磁电阻

主持单位:清华大学    主持人:章晓中

  以硅为主的半导体工业和以磁性材料为主的磁传感器和磁存储工业是信息工业的两大独立支柱。磁传感器广泛应用于磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖。磁传感器需用稀土材料制作,近年来稀土材料越来越难获得,价格暴涨,迫使人们一直在寻找其替代材料。

  清华大学材料系章晓中教授研究组创造性地发明了一种用硅(地球上第二多的元素)制备的非均匀巨磁阻器件,这是磁电阻领域的一项重大突破,论文发表在2011年9月15日出版的《自然》杂志上。用硅制备巨磁阻器件使得半导体硅材料进入了磁性材料工作领域,该器件可方便地集成到成熟的半导体工业中,这将给磁传感器工业带来革命性变化;也将催生半导体工业和磁传感器工业的联姻,可能导致以前不存在的半导体“磁电”或“磁光电”器件的诞生。

  国际学术界对章晓中研究小组的这项工作极其重视,《自然—亚太版》在焦点专栏推荐了这项工作;有一百多年历史的《麻省理工科技创业》杂志的中文版采访了章晓中,并刊登专题文章报导了这项工作以及在征求国际著名科学家对该工作的看法时得到的高度评价;明年召开的第19届国际磁学和强关联电子系统大会是磁学界最高级别的会议(三年开一次),也邀请章晓中做半大会报告(他是大会报告人和半大会报告人中唯一一位来自中国的学者)。

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