中国教育和科研计算机网
EDU首页 | 中国教育 | 高校科技 | 教育信息化 |  CERNET |  公开课导航
首页  |  科技前沿  |  科普知识  |  评论  |  人才  |  高校成果  |  高校资讯  |  会议通知  |  专题报道  |  数据排行  |  每日要闻  |  每日全部资讯

CERNET第24届学术年会
选择字体:    王铁山 丁晶洁 程锐 鲁霞 赵永涛  中国科技论文在线  发布时间:2010-12-12

高电荷态离子在Cu和W表面的势能溅射

  本文研究了Arq+ (1≤q≤16) 与 Pbq+ (4≤q≤36) 轰击金属Cu和W表面所产生的溅射现象。实验结果显示了在金属表面的势能溅射存在阈值效应。溅射产额在q<24时没有显著变化,在q≥24时随着势能急剧增加。作为比较,对Pbq+ (4≤q≤36) 轰击绝缘体(SiO2)和半导体(Si)表面的溅射产额也做了测量。结果显示产额随势能呈近似线性增加趋势。高电荷态离子在固体表面产生的势能溅射与材料的性质尤其是导电性密切相关。

>>查看原文初稿链接<<

>>更多科技论文<<

 

特别声明:本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者在两周内速来电或来函联系。
分享到 更多

版权所有:中国教育和科研计算机网网络中心 Copyright © 1994-2017 CERNIC,CERNET,京ICP备05078770号,京网文[2014]2106-306号

关于假冒中国教育网的声明 | 有任何问题与建议请联络:Webmaster@cernet.com