日本京都大学大学院工学研究科的一个研究小组发布消息称，他们开发出一种能够大大缩短三维电子晶体制造时间的新工艺。三维电子晶体是一种能自由操纵光的新型材料，可用来高速处理光信号以及制造超小型光集成电路片，在下一代量子计算机的开发、新型人造卫星和飞机制造等方面有着广阔的应用前景。

　　据介绍，三维电子晶体的构造是将微小的硅反射板立体的、整齐的排列在一起，具有可自由反射光并实时调节发光强弱的特性。不过这种新型材料以往制造起来十分麻烦，必须要使用特制的半导体制造仪器，并通过显微镜进行人工精密制造。而以往要制造一个8层结晶、1厘米见方、2微米厚的晶体大约需要1个月左右的时间。

　　日本的研究小组使用了在原料硅板上放置金属板，再用等离子依据金属板上排列整齐的倾斜状孔洞进行挖掘的方法，大大节省了三维电子晶体的制造时间。利用这种新方法，制造一块8层1厘米见方的晶体只需要4天至5天时间。研究人员称，这种新工艺也将会大大促进超小型光集成电路片等技术的进步。