北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心研制的氮化镓基激光二极管实现了电注入激射，激光波长405nm，峰宽0.12nm。这是继2004年7月本中心率先在国内获得光泵浦GaN 基激光器受激发射之后所取得的又一突破。
GaN基激光器是波长最短的半导体激光器，波长为405nm 范围的蓝-紫光GaN基激光器是发展下一代大容量高密度光存储信息技术的关键性器件。在国防建设、生物、环境、照明、显示、打印和医疗等领域，也具有广阔的应用前景和巨大的市场需求。研制GaN基激光器是国家高科技攻关的重要项目之一。
从2002年4月起，北京大学先后承担国家863重大项目《氮化镓基激光器》和北京市科技计划项目《氮化镓基蓝紫激光器的研制》的任务，针对宽禁带半导体氮化镓基激光器的难点，进行了氮化镓基激光器外延和器件结构的计算和优化设计、MOCVD外延生长和表征、器件微加工技术和谐振腔结构等方面的探索和研究，在GaN基材料系量子阱和超晶格与波导结构MOCVD生长和窄波导激光二极管器件制备等关键性科学和技术问题方面取得一系列进展。
2004年下半年，在清华大学纳米中心微加工组的合作攻关下，经各种方案和条件的反复摸索和共同试验，终于制备出了新的氮化镓基激光器芯片，获得氮化镓基脊形波导激光器原型器件的电注入受激发射，首次实现了波长为405nm左右的电注入脊型波导GaN基激光二极管的受激发射，这一波段的激光正是用于下一代”蓝光DVD”光盘系统的光源。
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