利用分子束外延方法（MBE）经应变自组装生长模式(SK)可以制备半导体量子点结构，通过调整结构参数和外延参数，多层量子点可以延生长方向呈现不同分布方式，其中沿生长方向垂直对准的量子点对于制备激光器有更重要的意义。本文对国内外垂直对准量子点的相关工作进行了总结，归纳了垂直对准量子点的量子点层厚度、间隔层厚度等参数对材料光学性质的影响。

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