日前，中科院上海微系统所通过与上海中芯国际紧密合作，经过近两年的努力，利用国内工艺建立了RF CMOS器件与电路设计模型，成功研制了低功耗超宽带(UWB)通信用混频芯片。该芯片采用0.18um SMIC CMOS 工艺完成，电压1.8V，直流电流只有2.6mA，变频增益5dB，芯片面积0.14mm2，工作频段3－5GHz。相对于传统的正弦载波通信系统，超宽带无线通信系统具有高传输速率、高空间频谱效率、高测距精度、低截获概率、抗多径干扰、与现有系统频谱共享、低功耗、低成本、易于全数字化等诸多优点。在超宽带无线通信射频芯片研究方面，国外目前已有多款脉冲体制超宽带射频收发机芯片报道，大部分是基于CMOS或BiCMOS工艺，而国内在超宽带无线通信射频芯片的研制尚未见有报道。日前，这些优点使超宽带无线传输技术和无线传感器网络形成天然的结合，基于超宽带技术的无线传感器网络的研究和开发也得到了关注，在未来通信系统以及无线传感网中有广泛的应用前景。

　　UWB混频芯片的研制成功，标志着国内RF CMOS工艺及设计技术进入了实用化阶段，具有与传感器、微能源直接集成的优势，为下一步研制UWB SOC(超宽带片上系统)芯片打下了良好基础。