英特尔公司近日公布了多项突破性技术。这些技术已被集成到业界最先进的半导体制造工艺———90纳米（nm）工艺中。英特尔已经采用该工艺来制造突破记录的芯片结构和内存芯片，并将于明年用于批量制造300mm晶圆。

　　新型90nm（1纳米等于十亿分之一米）工艺集众多优点于一身－－更高性能、更低功耗的晶体管、应变硅、高速铜互连以及新型低K绝缘材料。这是第一次将所有这些技术都集成到同一制造工艺中。

　　英特尔公司高级副总裁兼技术与生产部总经理SunlinChou博士说：“当别人还刚刚开始在200mm晶圆上采用130nm（0.13微米）工艺时，我们已经率先将90nm技术专门用于300mm晶圆。这一结合将使英特尔制造出更好的产品，同时也降低了制造成本。”过去十多年以来，英特尔一直遵循摩尔定律，平均每两年就引入一代新工艺。90nm工艺是继0.13微米后的新一代工艺，英特尔目前正采用后者批量制造微处理器。