英特尔公司13日宣布了一项计划，决定采用新开发出的线宽90纳米的制造技术，在2003年下半年大批量生产下一代芯片。此项计划将保证这家世界最大的半导体公司能够在芯片领域继续保持技术领先。

　　英特尔公司发布的新闻公报称，新的制造技术将结合高性能、低能耗的晶体管、应变硅晶、高速铜连接技术以及一种新的低介电常数材料。“这是多种技术首次在一个单一的生产过程中结合在一起”。

　　英特尔公司目前的旗舰产品奔腾４芯片采用的是线宽130纳米的制造技术。若采用线宽90纳米的制造技术，可以使芯片中晶体管的长度从先前的60纳米降至50纳米，栅氧化层变薄至1.2纳米，只相当于5个硅原子加起来的厚度，从而加快处理器的处理速度。

　　在目前电子市场需求不景气，其它芯片生产厂家纷纷减少新型芯片生产设备投资的情况下，业内专家认为英特尔公司采用线宽90纳米的制造技术实际上有些冒险。英特尔公司则希望市场对强力新型芯片的需求能够在两年内复苏，使其目前的大幅投资能够得到回报。