2月9日，科技部程津培副部长、教育部赵沁平副部长及财政部张少春副部长等三部委有关领导在湖北省郭生练副省长陪同下专程考察了武汉光电国家实验室（筹）。

　　在听取了华中科技大学王延觉副校长关于武汉光电国家实验室建设背景及近期工作进展的汇报后，三位部长充分肯定了武汉光电国家实验室（筹）在整合科技资源、促进学科交叉、推动光电子产业及区域经济发展方面发挥的积极作用。

　　三位部领导指出，全国科技大会和《规划纲要》颁布以后，确立了我国走自主创新之路，建设创新型新国家的重大战略决策。科技部启动实施国家实验室建设，是贯彻规划纲要和科技大会精神、探索项目、基地和人才建设的重要举措。武汉光电国家实验室在有关部门、湖北省、武汉市和各实验室建设依托单位的通力合作下，强调资源整合、学科交叉、综合集成，有效整合了武汉地区光电科技方面的强势资源，在人才吸引、创新性成果的集成等方面取得了很好的成绩，在体制机制上也进行了比较好的探索，充分体现了国家实验室的优势，具有重要意义。国家有关部门正在探索新的模式和长效机制，加大对科研基地稳定支持力度，推动国家实验室建设和发展。

　　科技部、教育部和财政部及省市有关领导还实地考察了实验室光电子微纳制造工艺平台、飞秒激光与物质相互作用平台、LED研发平台及清晰NVD光盘标准研发平台等基地建设和科研进展情况。

　　科技部基础司张先恩司长、叶玉江副司长、条财司吴学梯副巡视员，教育部武贵龙副司长，财政部教科文司赵路司长及湖北省、武汉市岳勇副市长等领导参加了考察。

　　武汉光电国家实验室（筹）于2003年11月由科技部批准筹建，2006年11月通过建设计划可行性专家论证。该实验室主要研究领域包括信息光电子、光子辐射与探测、能量光电子和生物医学光电子等，现有研究人员240人，建筑面积4.5万平方米。