近日，纳米学权威期刊《纳米快报》（Nano Letters）在线发表了华中科技大学物理学院高义华教授团队题为《原子尺度、原位TEM研究InAs纳米线晶体结构的转变》的研究论文，报道了在透射电子显微镜中原位加热纳米线，实时观察纳米线晶体结构的转变过程，并直观解释纳米线晶体结构转变的微观机制。

　　砷化铟（InAs）是III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体，具有高电子迁移率、低有效质量、大激子波尔半径、易形成欧姆接触等优良特征。为了更好地实现InAs纳米线的优异性能，对InAs纳米线不同晶体结构的生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。