日前，洛阳师范学院化工学院博士孙晓甜和苏州大学的合作者，通过理论计算模拟及相关扫描隧道显微镜表征程序预测出新型二维材料砷烯、锑烯及其化合物的缺陷形成，并给出了其缺陷结构的形貌及迁移机理。相关成果在线发表于《材料化学》。

　　二维砷烯、锑烯是全新的二维半导体材料，近年来受到广泛关注。材料合成过程中难以避免缺陷，因此缺陷的形成和迁移异常重要。

　　孙晓甜及合作者采用第一性原理方法，在砷烯、锑烯中预测了五种点缺陷结构的迁移行为，同时预测出点缺陷容易在这些二维材料表面出现，且部分缺陷会迅速移动到材料的边缘上。此外，这些点缺陷结构对材料的电子性质有较大影响，单空位缺陷可以给材料引入磁性；通过施加应力，可以有效调节这些存在缺陷结构材料的电子性质。